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Vai ficando mais evidente que o Galaxy Note poderá não dar as caras no segundo semestre. As apostas são de que a Samsung priorizará o Galaxy S21 FE, que vem protagonizando diversos vazamentos, incluindo alguns envolvendo seu visual. Agora, uma passagem do modelo pelo Geekbench acabou entregando novos detalhes sobre sua memória.
O Galaxy S20 FE chegou em um primeiro momento com 6 GB de RAM e 128 GB de armazenamento interno, mas mesmo aqui no Brasil rapidamente recebeu uma variante com 8 GB / 256 GB. Até o modelo com Snapdragon 865, que desembarcou recentemente, foi disponibilizado dessas duas formas. Sobre o S21 FE, se falava em um modelo com 6 GB de memória inicialmente, mas o teste de benchmark revelado entrega outro modelo com 8 GB.
Para a alegria de muitos, a passagem do S21 FE pelo Geekbench não revelou apenas a memória RAM, mas reforçou a presença do Snapdragon 888. Por enquanto, não há indícios de que a Samsung repetirá o SoC Exynos 2100 na Fan Edition. Rotineiramente a comunidade aponta para o consumo energético mais intenso, performance menor, além de superaquecimentos do chip da Samsung.
Sobre os números do S21 FE na plataforma, eles estão na média do que o Snapdragon 888 propõe: 598 pontos no estresse de núcleo isolado, e 2610 utilizando todo o poder de fogo do hardware. Muitas especificações ainda são desconhecidas, mas a Samsung não faz downgrades tão expressivos nas Fan Editions em relação à linha S, no geral cortando custos em design e trocando sensores de câmera — mas mantendo a quantidade de lentes.
Ainda não há data para a sul-coreana revelar o Galaxy S21 FE e seus aspectos de memória, câmera, conectividade e outros. Analistas apostam para um evento em agosto, ao lado dos novos dobráveis, como o Galaxy Z Fold 3. Por histórico, o oitavo mês do ano costumava ser reservado ao Galaxy Note.
Via PH Android