Vai ficando mais evidente que o Galaxy Note poderá não dar as caras no segundo semestre. As apostas são de que a Samsung priorizará o Galaxy S21 FE, que vem protagonizando diversos vazamentos, incluindo alguns envolvendo seu visual. Agora, uma passagem do modelo pelo Geekbench acabou entregando novos detalhes sobre sua memória.

O Galaxy S20 FE chegou em um primeiro momento com 6 GB de RAM e 128 GB de armazenamento interno, mas mesmo aqui no Brasil rapidamente recebeu uma variante com 8 GB / 256 GB. Até o modelo com Snapdragon 865, que desembarcou recentemente, foi disponibilizado dessas duas formas. Sobre o S21 FE, se falava em um modelo com 6 GB de memória inicialmente, mas o teste de benchmark revelado entrega outro modelo com 8 GB.

Para a alegria de muitos, a passagem do S21 FE pelo Geekbench não revelou apenas a memória RAM, mas reforçou a presença do Snapdragon 888. Por enquanto, não há indícios de que a Samsung repetirá o SoC Exynos 2100 na Fan Edition. Rotineiramente a comunidade aponta para o consumo energético mais intenso, performance menor, além de superaquecimentos do chip da Samsung.

Especificações completas ainda são desconhecidas

Sobre os números do S21 FE na plataforma, eles estão na média do que o Snapdragon 888 propõe: 598 pontos no estresse de núcleo isolado, e 2610 utilizando todo o poder de fogo do hardware. Muitas especificações ainda são desconhecidas, mas a Samsung não faz downgrades tão expressivos nas Fan Editions em relação à linha S, no geral cortando custos em design e trocando sensores de câmera — mas mantendo a quantidade de lentes.

Ainda não há data para a sul-coreana revelar o Galaxy S21 FE e seus aspectos de memória, câmera, conectividade e outros. Analistas apostam para um evento em agosto, ao lado dos novos dobráveis, como o Galaxy Z Fold 3. Por histórico, o oitavo mês do ano costumava ser reservado ao Galaxy Note.

Via PH Android